德国铁电存储器公司（FMC）与半导体巨头Neumonda近日宣布了一项重大战略合作，计划在德国德累斯顿打造一条先进的非易失性存储芯片（FeRAM）生产线。这一举措标志着自2009年英飞凌与奇梦达的德国DRAM工厂关闭后，欧洲大陆首次重启存储芯片本土化生产的尝试。
此次合作的基石是FMC独创的“DRAM+”技术，它突破了传统FeRAM的存储限制。通过采用10纳米以下制程兼容的铪氧化物（HfO₂）作为铁电层，取代了传统的锆钛酸铅PZT材料，使得存储容量从以往的4-8MB跃升至Gb至GB级别，同时保留了断电数据不丢失的特性。FeRAM，作为一种随机存取存储器技术，其铁电性材料层替代了常规介电质，赋予了它非挥发性内存的功能。
FMC的首席执行官Thomas Rueckes对这一技术革新充满信心：“铪氧化物的铁电效应成功地将DRAM电容转变为非易失性存储单元，不仅保持了高性能，还实现了低功耗，这对于满足AI运算对持久内存的高需求尤为关键。”
为了将这一创新技术从研发推向量产，FMC与Neumonda将共同利用Neumonda开发的Rhinoe、Octopus、Raptor三大测试系统，构建一个涵盖研发至量产的完整产业链。
Neumonda的首席执行官Peter Poechmueller对此次合作寄予厚望：“我们的长远目标是重振德国的存储芯片产业，而此次与FMC的合作无疑是朝着这一目标迈出的重要一步。这不仅是对技术创新的一次大胆尝试，更是对欧洲半导体产业自给自足能力的一次有力提升。”
