三星电子正全力以赴地推进其1nm工艺的研发进程，旨在高端芯片市场抢占先机。据相关消息透露，三星已正式成立专项研发团队，致力于开发下一代1nm工艺节点，并计划于2029年投入量产。
为了这一宏伟目标，三星电子半导体研究所已经启动了1nm工艺的研发工作。值得注意的是，部分曾深度参与2nm工艺研发的核心成员已被调配至该团队，共同为实现这一“梦想中的半导体工艺”而努力。
据业内人士透露，1nm工艺的研发难度极大，需要引入一系列全新的技术理念，并配备高数值孔径的极紫外设备。然而，目前三星方面尚未公开确认是否已订购这些尖端设备。
此番三星的大动作，无疑是在向行业巨头台积电发起挑战。长期以来，台积电在先进制程领域一直保持着领先地位，其2nm工艺预计将于2026年下半年率先实现量产，同时也在紧锣密鼓地推进1nm工艺的研发。相比之下，三星在2nm工艺上的良率表现尚不及台积电，而其1.4nm工艺则预计将于2027年才能量产。
面对如此激烈的竞争态势，三星显然希望通过1nm工艺的研发实现“技术逆袭”，从而在高端芯片市场占据更有利的地位。
