近期，三星电子在国际固态电路会议IEEE ISSCC 2025上，通过韩媒SEDaily的现场采访，向外界展示了其最新的HBM内存发展蓝图，并详细阐述了即将推出的HBM4E内存的预期性能指标。
据三星电子透露，HBM4E相较于其前代HBM4，在技术上实现了两大重要飞跃。首先，HBM4E引入了32Gb DRAM裸片，这一创新使得在16Hi堆叠配置下，单个堆栈的内存容量能够扩展至64GB。其次，HBM4E将每引脚的传输速率提升至10Gbps，这一提升直接导致了HBM4E的整体带宽相较于HBM4提高了25%。
在应用层面，HBM4E内存的潜力同样引人注目。据业内消息，英伟达计划在2027年推出的Rubin Ultra AI GPU，将支持采用HBM4E内存。这款GPU将支持多达12个HBM4 (E) 堆栈，如果全部采用HBM4E堆栈，那么单个加速器的内存容量将可能达到前所未有的768GB，这对于处理大规模数据和复杂计算任务来说，无疑是一个巨大的优势。
三星电子的这一举措，不仅展示了其在内存技术领域的领先地位，也预示着未来高性能计算和人工智能领域将迎来更为强大的硬件支持。随着HBM4E内存的逐步普及，我们有望看到更多高性能、大容量的计算设备问世，为科技进步和社会发展提供强有力的支持。
