据韩国科技媒体披露，三星电子在下一代高带宽内存HBM4的研发进程中取得关键突破。消息人士透露，三星为英伟达明年计划推出的新一代AI加速器定制的HBM4产品，在系统级封装（SiP）测试中斩获行业最高评分，运行速度与能效表现均领先于其他内存供应商。
半导体行业知情人士称，英伟达技术团队上周专程赴三星平泽工厂，重点核验HBM4的SiP技术整合进度。这种封装技术通过将GPU核心、存储芯片、中介层及电源管理模块等组件集成于单一封装体，可显著提升数据传输效率并降低功耗。测试数据显示，三星方案在带宽密度和每瓦性能等核心指标上达到行业标杆水平，为其通过英伟达质量认证增添重要筹码。
市场分析认为，若三星能按计划在明年上半年通过最终验证，其HBM4供货量或将远超预期。有供应链消息指出，英伟达对三星产品的需求规模较内部评估值高出30%以上，这可能为三星半导体业务带来数十亿美元的营收增长。三星平泽P4生产线扩建工程已进入最后阶段，预计首季度可完成产能爬坡，二季度启动全面量产。
尽管三星在技术测试中表现亮眼，但其主要竞争对手SK海力士仍保持先发优势。SK海力士已于9月完成HBM4量产线调试，并向英伟达交付首批付费样品进入试产阶段，较三星提前约三个月。不过业内人士指出，相较于HBM3E时代两家企业近一年的技术代差，此次HBM4的研发竞赛差距已大幅收窄。
系统级封装技术正成为HBM市场竞争的新焦点。该技术通过三维堆叠设计突破传统封装限制，使内存带宽密度提升数倍的同时，将信号传输延迟控制在纳秒级别。英伟达等AI芯片厂商普遍认为，SiP技术将成为突破算力瓶颈的关键路径，这也解释了为何头部企业纷纷加大在该领域的研发投入。
