【网界科技】6月27日消息，据消息报道，三星计划在2023年下半年大规模生产面向人工智能(AI)应用的高带宽存储芯片。三星的目标是在AI存储芯片市场赶超领先者SK海力士，并追赶上市场占有率约50%的SK海力士。此前，三星设备解决方案部门总裁Kye Hyun Kyung承认三星代工技术落后于台积电，但他表示三星将在未来五年内超过台积电。随着人工智能市场的增长，对高带宽存储解决方案的需求预计将大幅增加。
据了解，2022年，SK海力士在高带宽内存(HBM)市场占有约50%的份额，而三星占有约40%的份额，剩余10%由美光占有。虽然HBM市场整体规模不大，仅占据整个动态随机存取存储器(DRAM)市场的约1%，但随着人工智能市场的扩大，对HBM解决方案的需求预计将不断增加。因此，三星计划加大生产力度，迎头赶上SK海力士，并投入大规模生产面向人工智能的HBM3芯片以适应市场变化。
此外，三星还宣布赢得了AMD和谷歌的合作伙伴关系。谷歌将在三星的第三代4纳米工艺节点上制造其Tensor 3芯片。传闻中的Exynos 2400 SoC芯片也可能在4纳米工艺上制造。这些合作将进一步巩固三星在芯片制造领域的地位。
