三星电子在3D NAND闪存生产领域取得了引人瞩目的技术进展。据韩媒The Elec最新报道，这家科技巨头在光刻工艺上实现了重大革新，成功将光刻胶（PR）的使用量减半。
报道指出，在以往的3D NAND闪存生产过程中，每层涂层需要消耗7至8cc的光刻胶。然而，三星电子通过精密调控涂布机的旋转速度，并对PR涂层后的蚀刻工艺进行了优化，现在每层涂层仅需4至4.5cc的光刻胶。这一改进不仅大幅降低了材料成本，还有望提升生产效率。
更为关键的是，三星电子引入了更厚的氟化氪（KrF）光刻胶技术。传统的光刻工艺中，每次只能形成一层涂层。而采用更厚的光刻胶后，三星电子能够一次性形成多层涂层，从而显著提高了工艺效率。然而，更厚的光刻胶也带来了新的挑战，其高粘度特性在涂层过程中可能导致均匀性问题。为了克服这一难题，三星电子与其长期合作伙伴东进半导体化学公司展开了紧密合作。
自2013年以来，东进半导体化学公司一直是三星电子KrF光刻胶的独家供应商，为三星的第7代（11微米）和第8代（14微米）3D NAND产品提供了关键材料支持。据透露，从第9代3D NAND产品开始，三星电子将全面应用这项新技术。这一创新举措预计将为三星电子节省每年数十亿韩元的成本。
然而，这一技术革新也给东进半导体化学公司带来了新的挑战。作为三星电子的重要供应商，东进半导体每年从光刻胶业务中获得约2500亿韩元的收入，其中60%来自三星电子。随着三星电子采用新技术减少光刻胶的使用量，东进半导体可能会面临来自三星的订单减少。这无疑将对该公司的业务产生一定影响。
