近期，在备受瞩目的2024 IEEE IEDM国际电子器件会议上，两大科技巨头IBM与日本先进芯片制造商Rapidus携手亮相，共同展示了一项革命性的技术成果——多阈值电压GAA晶体管技术。这项技术被视为Rapidus未来2nm制程生产中的潜在核心。
据IBM透露，随着半导体制程技术迈向2nm时代，传统的FinFET（鳍式场效应晶体管）结构将被全新的GAAFET（全环绕栅极场效应晶体管）所取代。这一转变不仅标志着技术上的巨大飞跃，同时也带来了前所未有的挑战：如何在如此微小的尺度上实现多阈值电压，以确保芯片在节能的同时保持强大的计算能力。
在2nm制程中，N型和P型半导体通道之间的距离被压缩到了极致，这对光刻技术的精度提出了极高的要求。为了实现多阈值电压而不影响半导体性能，IBM与Rapidus的研究团队创新性地采用了两种不同的选择性减少层（SLR）芯片构建工艺。这一突破性的方法成功解决了技术难题，为2nm制程的推进奠定了坚实基础。
IBM研究院的高级技术人员Bao Ruqiang在会上表示，Nanosheet纳米片结构与上一代FinFET相比，不仅在结构上有着显著差异，而且其复杂性也显著增加。然而，他强调说：“我们提出的新生产工艺在操作上更为简便，这将极大地降低Rapidus在2纳米片技术应用上的难度，提高生产效率和可靠性。”这一表述无疑为Rapidus的未来芯片制造之路注入了强大的信心。
此次IBM与Rapidus的合作，不仅展示了双方在半导体技术领域的深厚积累，更体现了面对技术挑战时的创新精神和团队协作能力。随着多阈值电压GAA晶体管技术的不断成熟和应用，我们有理由相信，未来的芯片将更加高效、节能，为科技产业的持续发展注入新的活力。
