三星电子正积极筹备其DRAM技术的下一代革新，据最新消息显示，该公司已在第六代DRAM尚未实现量产之际，率先启动了第七条生产线——1d DRAM的测试线建设。这一被称为“单路径线”的测试设施预计将于2025年第一季度全面竣工，旨在提升产品良率，并进一步拉大与业界竞争者的技术距离。
位于平泽的P2工厂内，这条测试线将承担起评估新半导体产品量产可行性的重任。一旦研发阶段的下一代芯片定型，该测试线将引入晶圆，着手提升量产良率，为正式投产打下坚实基础。
尽管平泽10纳米级第七代DRAM厂房的具体规模尚未公开，但一般而言，此类测试线每月可处理大约一万片晶圆，其产能不容小觑。三星方面已明确表示，计划在2026年前实现第七代DRAM的量产，而第六代DRAM（1c）则预计将于2025年投产。这意味着，第七代DRAM的测试线建设与第六代的量产准备工作正同步推进，展现了三星在DRAM技术领域的前瞻布局。
业内专家指出，三星此举意在通过提前布局第七代DRAM生产线，为明年重振市场优势奠定坚实基础。近年来，三星在HBM市场上的领先地位被SK海力士所取代，同时，在10纳米级第六代内存的开发速度上也落后于竞争对手。为了重新夺回行业领导地位，三星不得不加快产品开发的步伐，通过技术创新和提前布局来抢占市场先机。
