美光科技近日在投资者会议上透露，其第六代高带宽内存HBM4已进入产能快速扩张阶段，并计划于明年正式量产下一代HBM4E标准产品。公司全球运营执行副总裁马尼什·巴蒂亚在摩根大通会议上表示，HBM4的量产爬坡速度较去年12层HBM3E产品提升近一倍，良率改善效率也显著优于前代技术。
据技术团队介绍，HBM4的加速量产得益于三大核心优势：其一，此前HBM3与12层HBM3E的规模化生产积累了关键经验；其二，该产品采用美光成熟的10纳米级第五代1-beta（1β）工艺，该工艺已成为公司主力制程，在性能与良率稳定性上得到充分验证；其三，通过优化基础裸片设计，与自主制造的1β DRAM形成协同效应，进一步提升了产品综合性能。
面向下一代HBM4E，美光将调整生产策略。核心裸片将升级至10纳米级第六代1-gamma（1γ）工艺，该工艺与三星电子、SK海力士的1c制程处于同一技术节点，标志着美光首次引入ASML极紫外光刻设备。值得注意的是，HBM4E的基础裸片生产将外包给台积电，此举被视为加强供应链协同的重要举措。巴蒂亚确认，HBM4E开发进度符合预期，量产准备工作正在有序推进。
产品规划方面，首批HBM4E将严格遵循JEDEC标准，同时针对特定客户需求开发定制化版本。尽管定制产品成本较高，但美光认为其性能优势与功能扩展性将赢得高端市场青睐。公司透露，基于1γ工艺的DRAM及第九代NAND闪存产品预计将在年中占据总位元出货量半数以上，其中1γ DRAM有望成为公司晶圆产能最大的单一DRAM制程节点。
市场分析指出，HBM4系列主要面向英伟达Vera Rubin AI计算平台，其性能提升将直接助力人工智能训练与推理效率。随着AI算力需求持续爆发，高带宽内存市场正迎来新一轮技术竞赛，美光通过工艺迭代与生态合作巩固技术领先地位的意图明显。
