近日，国内领先的功率半导体综合制造商士兰微电子宣布，其位于厦门海沧区的重大投资项目——8英寸碳化硅（SiC）功率器件芯片制造生产线（一期）建设取得关键进展。该生产线总投资高达70亿元，已于2月28日顺利完成封顶仪式。
据士兰微电子透露，公司正全力以赴，目标是在今年年底前实现一期生产线的初步通线，并计划在明年第一季度正式投产。预计至2028年底，该生产线将具备年产42万片8英寸碳化硅功率器件芯片（晶圆）的生产能力。这一举措将显著增强士兰微电子在高端功率半导体市场的竞争力。
士兰微电子还透露了厦门8英寸碳化硅功率器件芯片制造生产线的二期规划。二期项目投资规模将达到50亿元，与一期项目合计，整体生产能力将达到每年72万片8英寸碳化硅功率器件芯片（晶圆）。这一庞大的投资计划不仅展示了士兰微电子对未来市场的坚定信心，也预示着公司在功率半导体领域将持续发力，不断突破技术壁垒，提升市场份额。
