美光科技近日宣布，其第6代高带宽内存HBM4已进入产能爬坡阶段，且进展顺利。据美光全球运营副总裁Manish Bhatia在摩根大通会议上透露，相较于去年推出的HBM3 12层产品，HBM4的速度实现了翻倍提升，同时良率也得到了显著改善。这款新产品将首先应用于英伟达的Rubin AI计算平台，为人工智能领域提供更强大的性能支持。
HBM4之所以能够实现如此显著的性能提升，得益于美光在HBM3和HBM3E量产过程中积累的丰富经验。在技术层面，HBM4的核心DRAM采用了1β（10纳米5代）成熟工艺，并搭配了美光自主研发的基底芯片，从而在性能和稳定性上实现了双重飞跃。
展望未来，美光已着手规划下一代HBM4E的战略布局。据悉，HBM4E的核心DRAM将升级为首次引入EUV技术的1γ（10纳米6代）工艺，而基底芯片则不再由美光自研，而是转由台积电代工生产。美光计划于2027年正式量产HBM4E，首批产品将符合JEDEC标准，并同步推进定制版产品的开发工作。
在激烈的市场竞争中，美光的竞争对手三星和SK海力士也纷纷公布了各自的HBM4E产品规划。三星预计将于2026年第二季度开始送样，并坚持自主研发基底芯片；而SK海力士则计划于2026年下半年送样，2027年实现量产，其基底芯片将采用台积电的3纳米工艺。面对竞争压力，美光也制定了明确的发展目标，计划到2026年中，1γ DRAM与9代NAND的出货量将占据其总容量的半数以上，使1γ成为其最大的单一DRAM工艺。
