在半导体制造领域，随着工艺不断升级，芯片性能提升正面临新的挑战。当前，无论是逻辑芯片还是存储芯片，从第三维度挖掘性能已成为先进制程的重要趋势。然而，在尺寸持续微缩的同时，芯片3D结构的深宽比显著增加，如何实现材料在复杂结构中的均匀分布，进而提升器件性能，成为行业亟待解决的关键问题。
为应对这一挑战，全球半导体设备巨头Applied Materials近日推出两款创新设备，分别为氮化硅原子层沉积设备Centris Spectral SiN ALD和钼选择性蚀刻设备Producer Selectra Mo Etch。这两款设备通过精准控制器件结构，为提升晶体管性能和优化制造工艺提供了新的解决方案。
其中，Centris Spectral SiN ALD采用了高密度微波等离子体技术，能够在低温条件下在复杂的3D结构中沉积出致密且均匀的SiN介电薄膜。这一特性使其在处理高深宽比结构时表现出色，有效解决了传统沉积工艺中薄膜均匀性不足的问题，为制造高性能半导体器件奠定了基础。
另一款设备Producer Selectra Mo Etch则专注于解决高堆叠3D NAND字线分离工艺中的均匀性难题。传统湿法蚀刻技术在这一环节容易出现蚀刻不均匀的问题，导致单元差异增大，进而影响器件的漏电特性和数据保持能力。而Producer Selectra Mo Etch通过工程化的工艺控制和先进的气体输送技术，显著提升了蚀刻均匀性和轮廓精度，有效降低了单元差异，从而减少了漏电并提高了数据存储的稳定性。
业内人士分析，这两款设备的推出标志着半导体制造工艺向更高精度和更复杂结构迈出了重要一步。随着3D芯片结构的不断演进，对材料沉积和蚀刻工艺的要求日益严苛，而Applied Materials的新设备通过技术创新，为行业提供了更可靠的解决方案，有望推动半导体制造技术迈向新的高度。
