法国原子能委员会电子与信息技术实验室（CEA-Leti）在半导体存储技术领域取得重要突破。该机构近日于IEEE VLSI 2026研讨会上公布了一项关于铁电随机存取存储器（FeRAM）电容器的创新设计，通过三维结构优化显著提升了存储密度，为22纳米制程节点下的非易失性存储器发展开辟了新路径。
传统FeRAM技术受限于平面电容器结构，器件小型化进程长期停滞。CEA-Leti研发团队通过垂直电容器设计突破物理限制，使存储单元面积大幅缩减。实验数据显示，在22纳米制程中，该技术可实现相当于标准SRAM 2.5倍的存储密度，性能指标直逼10纳米制程的SRAM产品。作为非易失性存储器，FeRAM无需像动态随机存取存储器（DRAM）那样持续刷新数据，这一特性使终端设备的功耗显著降低。
研究团队在研讨会上展示了两种三维铁电电容器集成方案：4:1低深宽比方案实现0.047平方微米的位单元面积，而17:1高深宽比方案进一步将面积压缩至0.0028平方微米。值得注意的是，高深宽比方案通过材料与工艺创新，成功解决了铁电存储器初期循环中常见的性能波动问题，确保了器件运行的稳定性。
该成果对物联网、人工智能等低功耗应用场景具有重要价值。CEA-Leti专家指出，存储器小型化与能效提升的双重突破，将推动边缘计算设备向更高性能、更低能耗的方向发展。目前研究团队正与产业界合作推进技术转化，预计未来三年内可实现商业化应用。
